Samsung ha cambiado a 20 nm para chips NAND Flash
La compañía coreana está utilizando una densidad de datos de 64 gigabits en sus nuevos chips, que también se verá en los productos SSD.
Samsung Electronics también ha anunciado oficialmente que ha comenzado la producción de los denominados chips Toggle DDR2.0 MLC tipo NAND Flash, que se fabrican con un proceso de 20 nm y tienen una densidad de datos de 64 gigabits (8 GB). La interfaz, llamada Toggle DDR2.0, es capaz de 400 Mbps, un aumento diez veces mayor que las memorias NAND Flash SDR (Single Data Rate), ya que estas últimas solo son capaces de 40 megabits. Y la interfaz, llamada Toggle DDR 1.0, puede comprimir 133 megabits de datos por segundo, lo que convierte a la versión 2.0 en un triple salto de velocidad. Por último, pero no menos importante, el fabricante espera una mejora del 50% en el rendimiento de producción en comparación con las versiones de 32 Gbit.
Samsung tiene la intención y recomienda el nuevo desarrollo principalmente para teléfonos inteligentes, tabletas y productos SSD de cuarta generación que utilizan la interfaz SATA III.
