Módulos de memoria de 32 GB de Samsung
El fabricante utilizó chips de 4 Gbit para lograr una gran capacidad.
Samsung ha introducido nuevos módulos de memoria con una capacidad de 32 GB cada uno. Esto se logró con 72 chips de 4 Gbit. Los nuevos módulos encajan en el zócalo LRDIMM, que será compatible con los nuevos procesadores de servidor de AMD e Intel. Los módulos de 40 MHz, fabricados con tecnología de fabricación de 1333 nm, funcionan a una tensión de 1,35 voltios. Además de los 72 chips, cada módulo fue reemplazado por un llamado búfer memoria intermedia), que, además de controlar el acceso, puede reducir la carga en el subsistema de memoria en un 75%.
La producción en masa de los nuevos módulos está prevista para el segundo trimestre de 2010. Se desconocen los precios esperados.
