Memoria de 80 nm de Samsung
Samsung ha presentado un chip DRAM de 80 Gb fabricado con tecnología de 1 nanómetros.
La tecnología de fabricación de ancho de banda de 80 nanómetros permite reducir el coste de fabricación de chips de memoria. Como resultado, el precio de los aún muy raros módulos DDR2 de 4 y 2 gigabytes puede reducirse aún más. Los chips de 90 Gbit de 1 nm miden 11 × 18 mm, mientras que la nueva memoria de Samsung es de solo 11 × 11,5 mm.
The South Early Company planea aumentar la participación de mercado de las DRAM a $ 2008 mil millones para 37,8, mientras que la participación de mercado de chips de 1 Gbit cambiará del 8 por ciento actual al 36% en dos años.
