Unidades de Toshiba a 19 nm en la industria NAND Flash
El fabricante quiere poseer la loseta más pequeña y avanzada del mundo.
Hace una semana informamos sobre eso Intel y chips NAND Flash fabricados a 20 nm en una empresa conjunta con Micron bajo el nombre IM Flash Technologies. Ahora, Toshiba ha anunciado con orgullo que quiere ir un paso más allá y utilizar un proceso de 20 nm en lugar de 19 nm. Como resultado, el área de un chip de tipo MLC (celda multinivel) es la extensión de la solución de la competencia, es decir, 118 mm2 y la capacidad será de 64 Gbit (8 GB) de la misma forma. La compañía comenzará a entregar las primeras muestras a fines de este mes, y la producción en masa comenzará en el tercer trimestre. Este intervalo de tiempo es similar a los reportados por IMFT, ya que hablaron del segundo semestre de 2011. Toshiba también contará con una tecnología llamada "Toggle DDR2.0", que tendrá un efecto beneficioso en la velocidad. SanDisk, el socio de dicho fabricante, quisiera unirse al grupo de fabricantes que ofrecen chips NAND Flash de 19 nm a finales de este año. El nuevo desarrollo beneficiará principalmente a tabletas, SSD y teléfonos inteligentes. El anuncio oficial se puede encontrar en la página fuente.
