Chip de memoria grabador GDDR5 de Hynex
La producción en masa del chip de memoria que se presenta a continuación comenzará en la primera mitad del próximo año.
La DRAM GDDR1 de 128 Gbites (5 MB) de Hynix ha robado el título más rápido del producto similar de Samsung, siendo 6, mientras que Hynix cuenta con 7 Gbps. El chip de 54 nanómetros alcanza este ritmo con un voltaje de funcionamiento de 1,35 V.
El chip de memoria, llamado H5GQ1H24AFR, también ha despertado el interés de NVIDIA y AMD, por lo que es casi seguro que se encontrará con la mayoría de los controladores gráficos de alta gama de las empresas mencionadas en el futuro.
