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Memorias GDDR3,2 de 4 GHz de Samsung

Samsung Electronics, el mayor fabricante de memorias del mundo, ya está produciendo muestras de la SDRAM GDDR4 más rápida para sus socios con diversos fines de desarrollo y prueba.

Sus chips de memoria son capaces de funcionar a hasta 3,2 GHz, casi el doble de la velocidad de las copias que se encuentran en las tarjetas de video actuales. Los chips GDDR4 del fabricante surcoreano tienen un tiempo de acceso de 0,6 ns, están fabricados con un ancho de banda de 80 nm y pueden almacenar 512 megabits de datos en un solo chip. El fabricante introdujo GDDR2005 de 256 Mb en el otoño de 4, que a su vez "sólo" funcionaba a 2,5 GHz. Aún no se han informado las propiedades de voltaje y calentamiento. El cambio a GDDR4 también está respaldado por el hecho de que es un descendiente directo de GDDR3, por lo que los fabricantes no pueden incorporarlo a sus productos con muchos cambios y dinero. Se espera que las memorias GDDR4 utilizadas en conexiones punto a punto de corta distancia se encuentren en las tarjetas gráficas más potentes del futuro cercano. Está previsto que la producción en serie de la memoria comience en el segundo trimestre de 2006.

Los investigadores de mercado dicen que las ventas de chips de memoria gráfica podrían alcanzar los $ 2,7 mil millones este año, un 10% más que los $ 2,5 mil millones del año pasado.

El competidor Hynix anunció sus memorias GDDR4 en diciembre y planea comenzar la producción en masa en el primer trimestre de 2006, antes que Samsung Electronics.

Memorias GDDR3,2 de 4 GHz de Samsung
Memorias GDDR4 de Samsung Electronics

Memorias GDDR3,2 de 4 GHz de Samsung
Hynix GDDR4

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